Nonvolatile Memory Design Magnetic, Resistive, And Phase Change
Afbeeldingen
Sla de afbeeldingen overArtikel vergelijken
- Engels
- Hardcover
- 9781439807453
- 19 december 2011
- 189 pagina's
Samenvatting
The manufacture of flash memory, which is the dominant nonvolatile memory technology, is facing severe technical barriers. So much so, that some emerging technologies have been proposed as alternatives to flash memory in the nano-regime. Nonvolatile Memory Design: Magnetic, Resistive, and Phase Changing introduces three promising candidates: phase-change memory, magnetic random access memory, and resistive random access memory. The text illustrates the fundamental storage mechanism of these technologies and examines their differences from flash memory techniques. Based on the latest advances, the authors discuss key design methodologies as well as the various functions and capabilities of the three nonvolatile memory technologies.
Productspecificaties
Inhoud
- Taal
- en
- Bindwijze
- Hardcover
- Oorspronkelijke releasedatum
- 19 december 2011
- Aantal pagina's
- 189
- Illustraties
- Nee
Betrokkenen
- Hoofdauteur
- Hai Li
- Tweede Auteur
- Yiran Chen
- Co Auteur
- Hai Li
- Hoofduitgeverij
- Taylor & Francis
Overige kenmerken
- Extra groot lettertype
- Nee
- Product breedte
- 156 mm
- Product lengte
- 234 mm
- Studieboek
- Nee
- Verpakking breedte
- 159 mm
- Verpakking hoogte
- 19 mm
- Verpakking lengte
- 241 mm
- Verpakkingsgewicht
- 499 g
EAN
- EAN
- 9781439807453
Je vindt dit artikel in
- Categorieën
- Taal
- Engels
- Boek, ebook of luisterboek?
- Boek
- Studieboek of algemeen
- Algemene boeken
Kies gewenste uitvoering
Prijsinformatie en bestellen
Rapporteer dit artikel
Je wilt melding doen van illegale inhoud over dit artikel:
- Ik wil melding doen als klant
- Ik wil melding doen als autoriteit of trusted flagger
- Ik wil melding doen als partner
- Ik wil melding doen als merkhouder
Geen klant, autoriteit, trusted flagger, merkhouder of partner? Gebruik dan onderstaande link om melding te doen.