Propriétés électriques d'une cellule solaire Etude des propriétés électriques d'une cellule solaire à base d'une structure Schottky

La determination modele des parametres fondamentaux de la diode Schottk; a savoir la hauteur de la barriere, le facteur d'idealite, et la resistance serie joue un role important dans la conception et la fabrication des dispositifs semi-conducteurs telles que les photopiles. Notre travail consiste a extraire par une des methodes evolutionnaires ces parametres modelisant les donnees experimentales en utilisant les algorithmes genetiques (AG) qui connaissent actuellement un essor considerable dans le domaine de resolution des problemes complexes d'optimisation, grace a leur universalite, fiabilite et robustesse. Nous nous sommes particulierement concentres sur le developpement d'un modele analytique optimise de la caracteristiques I-V en fonction de la temperature en utilisant la technique evolutionnaire AG. Le bon accord entre les resultats experimentaux et les resultats obtenus par notre approche a montre l'applicabilite des AGs a mettre en evidence certains parametres physiques critiques des cellules photovoltaiques pour une large gamme de temperatures."