The manufacture of flash memory, which is the dominant nonvolatile memory technology, is facing severe technical barriers. So much so, that some emerging technologies have been proposed as alternatives to flash memory in the nano-regime. Nonvolatile Memory Design: Magnetic, Resistive, and Phase Changing introduces three promising candidates: phase-change memory, magnetic random access memory, and resistive random access memory. The text illustrates the fundamental storage mechanism of these technologies and examines their differences from flash memory techniques. Based on the latest advances, the authors discuss key design methodologies as well as the various functions and capabilities of the three nonvolatile memory technologies.
Productspecificaties
Wij vonden geen specificaties voor jouw zoekopdracht '{SEARCH}'.
Negatief, positief, neutraal: we zetten een review altijd online. We controleren wel eerst of ’ie voldoet aan onze reviewvoorwaarden en niet nep is. We controleren ook of ’ie is geschreven door iemand die het artikel heeft gekocht via bol.com en zetten dit er dan bij. De controles gebeuren automatisch, al kijken er soms mensen mee. Bol.com betaalt niet voor reviews. Als een reviewer door een andere partij is vergoed, staat dit in de review zelf.
De prijs van dit product is 288 euro en 99 cent.288
99
2 - 3 weken
Levertijd
We doen er alles aan om dit artikel op tijd te bezorgen. Het is echter in een enkel geval mogelijk dat door omstandigheden de bezorging vertraagd is.
Bezorgopties
We bieden verschillende opties aan voor het bezorgen of ophalen van je bestelling. Welke opties voor jouw bestelling beschikbaar zijn, zie je bij het afronden van de bestelling.
