Samsung 850 EVO SSD - 120GB

Wat is V-NAND en wat is het verschil met bestaande geheugentechnologie?
Samsungs flashgeheugen wordt vervaardigd volgens een innovatieve 3D V-NAND-architectuur, waarbij de cellen in 32 lagen boven elkaar liggen. Het resultaat: een hogere dichtheid en betere prestaties bij een kleiner formaat. Er wordt korte metten gemaakt met de dichtheidslimieten van de conventionele vlakke NAND-architectuur.

Optimaliseer je computer met TurboWrite technologie.
Met Samsungs TurboWrite krijg je ultieme lees / schrijfprestaties en wordt jouw computer razendsnel. De 850 EVO levert topprestaties in zijn klasse: sequentieel lezen 540 MB/s, schrijven 520 MB/s. Niet alleen presteert de SSD 10% beter dan de 840 EVO*, de 120 / 250 GB modellen** leveren ook tot 1,9x snellere random schrijfsnelheden.
* PCmark7 (250 GB): 6 700 (840 EVO) > 7 600 (850 EVO).
** Random schrijven (QD32, 120 GB): 36 000 IOPS (840 EVO) > 88 000 IOPS (850 EVO).

Een versnelling hoger met de verbeterde RAPID-modus.
Samsungs Magician software bevat de RAPID-modus voor 2x snellere dataverwerking*. Dit is mogelijk door de gegevens op computerniveau te verwerken, waarbij vrij (DRAM) geheugen van de PC als buffer wordt gebruikt. Met de nieuwste software neemt het maximale geheugengebruik van de RAPID-modus toe van 1 GB tot 4 GB voor de 850 EVO (wanneer het systeem 16 GB DRAM bevat). Ook worden de prestaties 2x hoger* voor alle willekeurige wachtrijdieptes.
* PCMARK7 RAW (250 GB): 7 500 > 15 000 (Rapid-modus).

3D V-NAND voor uithoudingsvermogen en betrouwbaarheid.
De 850 EVO biedt gegarandeerd uithoudingsvermogen en betrouwbaarheid dankzij 3D V-NAND technologie door een twee keer zo hoge TBW* als de vorige generatie 840 EVO**. Bovendien ontvang je een unieke garantie van vijf jaar. De prestaties van de 850 EVO lopen met de jaren nauwelijks terug en liggen 30% hoger dan die van de 840 EVO. Deze SSD behoort dan ook tot de betrouwbaarste opslagapparaten***.
* TBW: Total Bytes Written, totaal geschreven bytes.
** TBW: 43 (840 EVO) > 75 (850 EVO 120 / 250 GB),150 (850 EVO 500 GB / 1 TB).
*** Sustained Performance / aanhoudende prestaties (250 GB): 3 300 IOPS (840 EVO) > 6 500 IOPS (850 EVO), prestaties vastgesteld na random schrijftest van 12 uur.

Doe langer met je laptopbatterij dankzij 3D V-NAND.
Met de 850 EVO gaat de batterij van je laptop duidelijk langer mee. De voor 3D V-NAND geoptimaliseerde controller maakt nu Device Sleep mogelijk bij een ongekend stroomgebruik van slechts 2 mW. De 850 EVO gaat tijdens schrijfbewerkingen* 25% efficiënter om met energie dan de 840 EVO, doordat 3D V-NAND de helft minder stroom gebruikt dan Planar 2D NAND.
* Stroomgebruik (250 GB): 3,2 watt (840 EVO) > 2,4 watt (850 EVO).