Nonvolatile Memory Design Magnetic, Resistive, and Phase Change

Afbeeldingen

Artikel vergelijken

  • Engels
  • Paperback
  • 9781138076631
  • 29 maart 2017
  • 203 pagina's
Alle productspecificaties

Samenvatting

The manufacture of flash memory, which is the dominant nonvolatile memory technology, is facing severe technical barriers. So much so, that some emerging technologies have been proposed as alternatives to flash memory in the nano-regime. Nonvolatile Memory Design: Magnetic, Resistive, and Phase Changing introduces three promising candidates: phase-change memory, magnetic random access memory, and resistive random access memory. The text illustrates the fundamental storage mechanism of these technologies and examines their differences from flash memory techniques. Based on the latest advances, the authors discuss key design methodologies as well as the various functions and capabilities of the three nonvolatile memory technologies.

Productspecificaties

Inhoud

Taal
en
Bindwijze
Paperback
Oorspronkelijke releasedatum
29 maart 2017
Aantal pagina's
203
Illustraties
Nee

Betrokkenen

Hoofdauteur
Hai Li
Tweede Auteur
Yiran Chen
Co Auteur
Hai Li
Hoofduitgeverij
Crc Press

Overige kenmerken

Extra groot lettertype
Nee
Product breedte
156 mm
Product lengte
234 mm
Studieboek
Nee
Verpakking breedte
156 mm
Verpakking hoogte
234 mm
Verpakking lengte
234 mm
Verpakkingsgewicht
453 g

EAN

EAN
9781138076631

Je vindt dit artikel in

Taal
Engels
Boek, ebook of luisterboek?
Boek
Studieboek of algemeen
Studieboeken
Nog geen reviews

Kies gewenste uitvoering

Kies je bindwijze (2)

Prijsinformatie en bestellen

Niet leverbaar

Ontvang eenmalig een mail of notificatie via de bol app zodra dit artikel weer leverbaar is.

Houd er rekening mee dat het artikel niet altijd weer terug op voorraad komt.