Boîtes quantiques d'In(Ga)As pour l'émission autour de 1,3 µm sur GaAs Nanostructures pour l'optoélectronique

Les boites quantiques de semiconducteurs III-V font l'objet de recherches actives depuis leur decouverte en 1985 du fait de leur proprietes physiques specifiques qui ouvrent des champs d'application potentiels dans le domaine des composants et des nanocomposants pour la microelectronique et l'optoelectronique. Cet ouvrage, reproduction d'une these de doctorat en sciences de la matiere, traite de la croissance et des proprietes structurales de boites quantiques d'In(Ga)As/GaAs. Il aborde les aspects lies a l'epitaxie en phase vapeur aux organometalliques de ces nanostructures, ainsi que l'etude de l'influence des conditions de croissance sur leur morphologie, leur taille et leur composition. Il montre ensuite comment les proprietes optiques des nanostructures (photoluminescence) peuvent etre optimisees et presentent une etude detaillee de la fabrication de lasers les utilisant comme couche active. Il s'adresse a des chercheurs en sciences physiques et technologies de l'information, a des doctorants et a des etudiants en physique de la matiere."