Design and Simulation of Trench Gate Power Mosfet for RF and Switching Applications

Afbeeldingen

Artikel vergelijken

  • Engels
  • Paperback
  • 9783659308598
  • 20 december 2012
  • 156 pagina's
Alle productspecificaties

Samenvatting

Trench gate power MOSFETs are the best suited devices for low to medium voltage power applications, like microprocessor power supplies, LED display drivers and automobiles etc. The main figures of merit of a power device are its ON-state resistance, breakdown voltage, switching delays and the power consumed during its operation. All these parameters are interlinked by the technology and the physics behind its operation. In this work such problems have been studied systematically and several methods have been proposed to overcome these limitations in a trench gate power MOSFET by improving its basic structure and are verified by the 2D numerical simulations using industry standard TCAD tools.

Productspecificaties

Inhoud

Taal
en
Bindwijze
Paperback
Oorspronkelijke releasedatum
20 december 2012
Aantal pagina's
156
Illustraties
Met illustraties

Betrokkenen

Overige kenmerken

Extra groot lettertype
Nee
Product breedte
152 mm
Product hoogte
9 mm
Product lengte
229 mm
Studieboek
Nee
Verpakking breedte
152 mm
Verpakking hoogte
9 mm
Verpakking lengte
229 mm
Verpakkingsgewicht
236 g

EAN

EAN
9783659308598

Je vindt dit artikel in

Taal
Engels
Studieboek of algemeen
Studieboeken
Beschikbaarheid
Leverbaar
Boek, ebook of luisterboek?
Boek
Nog geen reviews

Kies gewenste uitvoering

Bindwijze : Paperback

Prijsinformatie en bestellen

De prijs van dit product is 61 euro en 99 cent.
2 - 3 weken
Verkoop door bol
In winkelwagen
  • Prijs inclusief verzendkosten, verstuurd door bol
  • Ophalen bij een bol afhaalpunt mogelijk
  • 30 dagen bedenktijd en gratis retourneren
  • Dag en nacht klantenservice

Lijst met gekozen artikelen om te vergelijken

Vergelijk artikelen