Epitaxie de phosphures à grande échelle Contribution à l'étude de l'épitaxie par jets moléculaires à grande échelle de semi-conducteurs phosphorés

La montee en frequence des composants renforce l'interet pour les semi-conducteurs phosphores. Le developpement des cellules a source solide de phosphore avec vanne et craqueur permet d'envisager des perspectives industrielles pour l'Epitaxie par Jets Moleculaires (EJM), face a la concurrence du depot chimique en phase vapeur. C'est l'objectif du laboratoire commun P-Taxy entre Riber et l'IEMN, au sein duquel s'est deroulee cette these. Plusieurs aspects de l'EJM de composes phosphores ont ete etudies dans un bati de grand volume. Les interfaces phosphures sur arseniures ont ete caracterisees, mettant en evidence le faible effet memoire du bati et des interfaces de bonne qualite pour des arrets de croissance courts voire nuls. Le fort dopage "p" de l'InGaAs a ete realise au moyen d'une source de CBr4, avec une faible diffusion des dopants et une jonction p-n proche de l'idealite. Les flux de cellules d'EJM ont ete modelises par la methode de Monte Carlo, afin d'identifier les parametres geometriques permettant d'obtenir une bonne uniformite et une stabilite du flux en intensite."