Magnetoresistive Rams - A Device & Circuit Level Perspective

Afbeeldingen

Artikel vergelijken

  • Engels
  • Paperback
  • 9783659347658
  • 25 april 2013
  • 192 pagina's
Alle productspecificaties

Samenvatting

This work aims to exploit the potential of nano scale memories like MTJ based Magnetoresistive RAM for use in cell phone architectures by replacing age old flash memories through a series of simulations performed using various tools. Magnetoresistive memory (MRAM) is one of the forerunners of the nanotechnology enabled memories lined to replace the traditional memories like Flash, DRAM and SRAM. MRAMs are based on the phenomenon of spin dependent tunneling in magnetic tunnel junctions (MTJs). It stores data in the magnetization of a magnetic layer as opposed to electrical charge in conventional RAMs. Yet the read-out of the MRAM is electrical. It is claimed to offer something close to the speed of SRAM, with a density approaching that of single-transistor DRAM and the ability to store information when power is removed, like flash memory or EEPROM.

Productspecificaties

Inhoud

Taal
en
Bindwijze
Paperback
Oorspronkelijke releasedatum
25 april 2013
Aantal pagina's
192
Illustraties
Met illustraties

Betrokkenen

Hoofdauteur
Chakraverty Mayank

Overige kenmerken

Extra groot lettertype
Nee
Product breedte
152 mm
Product hoogte
11 mm
Product lengte
229 mm
Studieboek
Nee
Verpakking breedte
152 mm
Verpakking hoogte
11 mm
Verpakking lengte
229 mm
Verpakkingsgewicht
290 g

EAN

EAN
9783659347658

Je vindt dit artikel in

Taal
Engels
Studieboek of algemeen
Studieboeken
Beschikbaarheid
Leverbaar
Boek, ebook of luisterboek?
Boek
Nog geen reviews

Kies gewenste uitvoering

Bindwijze : Paperback

Prijsinformatie en bestellen

De prijs van dit product is 73 euro en 99 cent.
2 - 3 weken
Verkoop door bol
  • Prijs inclusief verzendkosten, verstuurd door bol
  • Ophalen bij een bol afhaalpunt mogelijk
  • 30 dagen bedenktijd en gratis retourneren
  • Dag en nacht klantenservice