Synthèse de nanoparticules de Ge et de Si par ablation laser Nanomatériaux semiconducteurs photoluminescents par ablation laser inerte et réactive

La reduction des dimensions des materiaux jusqu'a une taille nanometrique modifie leurs proprietes fonctionnelles et ouvre de nouvelles voies pour le design et la fabrication de nouveaux dispositifs. En particulier, les semi-conducteurs nanometriques occupent une place importante dans le developpement de nouvelles technologies en micro- et optoelectronique. Ce travail est consacre a la synthese et aux proprietes optiques des nanostructures semi-conductrices du groupe IV, telles que les nanoparticules de Si et de Ge. Nous avons etudie de maniere fondamentale les mecanismes regissant la synthese de nanoparticules de Si et de Ge par ablation laser et la photoluminescence de ces nanomateriaux. Deux approches de synthese sont utilisees, a savoir le depot sous atmosphere inerte (helium) et reactive (oxygene). Dans la premiere partie, nous avons etudie les mecanismes de formation de nanoparticules par ablation laser sous atmosphere inerte. La deuxieme partie utilise, pour la premiere fois, l'approche de l'ablation laser sous atmosphere reactive pour la synthese de nanoparticules de Ge et de Si encastrees dans une matrice d'oxyde."