Atomno-Silovaya Mikroskopiya Nanostrukturirovannykh Poverkhnostey

Vysokokachestvennaya polirovka i posleduyushchee nanoteksturirovanie yavlyayutsya neobkhodimymi etapami pri podgotovke podlozhek dlya sozdaniya na ikh osnove tselogo ryada ustroystv, takikh kak silovye SVCh tranzistory, sverkh"yarkie svetodiody na osnove epitaksial'nykh geterostruktur; lazernye giroskopy, ul'trafioletovye litografy i sistemy upravleniya rentgenovskimi puchkami na osnove mnogosloynykh interferentsionnykh zerkal'nykh pokrytiy. Predlagaemaya Vashemu vnimaniyu kniga budet interesna issledovatelyam, zanyatym problemami sozdaniya, issledovaniya i sertifikatsii takikh podlozhek. V knige opisany osobennosti metodologii issledovaniya sverkhgladkikh poverkhnostey metodom atomno-silovoy mikroskopii, kotoryy priobretaet vse bol'shee rasprostranenie blagodarya vysokomu prostranstvennomu razresheniyu i tsenovoy dostupnosti. Osoboe vnimanie udelyaetsya dielektricheskim podlozhkam: vliyaniyu na ASM- izobrazheniya staticheskogo zaryada poverkhnosti i sposobu ego ustraneniya. Opisany metody statisticheskoy obrabotki ASM dannykh s ispol'zovaniem spektral'nogo analiza vysot sherokhovatosti, pozvolyayushchie sopostavlyat' dannye ASM s drugimi metodami issledovaniya poverkhnosti: rentgenovskim i svetovym rasseyaniem.